我们国家物理方面的发展日新月异,在世界物理学中也占有一席之地,但是相比于欧美等国家,还是有一定的差距的,但是我们也不甘落后。下面请看学大专家总结的物理百科知识点—离子束刻蚀讲解。
离子束刻蚀
离子束刻蚀以离子束为刻蚀手段达到刻蚀目的的技术,其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束最小直径约10nm,离子束刻蚀的结构最小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下,最少的达到10nm,获得最小线宽12nm的加工结果。相比电子与固体相互作用,离子在固体中的散射效应较小,并能以较快的直写速度进行小于50nm的刻蚀,故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。
此外,聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入,甚至无显影刻蚀,直接制造各种纳米器件结构。但是,在离子束加工过程中,损伤问题比较突出,且离子束加工精度还不容易控制,控制精度也不够高。
原理:
利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子,氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击,以达到刻蚀的作用。把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面轰击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,属纯物理刻蚀。
技术指标:
主要用于各种金属以及氧化物等复杂体系的刻蚀等,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。
离子能量:100 - 650 eV
束流密度:0.2 - 0.7 mA/cm2
刻蚀均匀性:±5% ( 4英寸 )
装片:一片6英寸,向下兼容任意规格样品
极限真空:8.5E-5 Pa( 45分钟从 atm 抽至 5E-4 Pa )
基底冷却温度:5 - 25 oC
样品台旋转:自转 9 rpm, 倾斜 0 - 90o
看完了上文物理百科知识点—离子束刻蚀讲解之后,也许对此你还存有疑问或者表示看不懂之类的,如果你真的对这个感兴趣,希望你能够查阅些资料来深入了解。